收藏本站
DMN32D2LV
DMN32D2LV
Document number: DS31121 Rev. 7 - 2
3 of 6
www.diodes.com
January 2014
? Diodes Incorporated
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
DMN3300U-7 MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3
DMN3404L-7 MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23
DMN3730U-7 MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23
DMN3730UFB-7 MOSFET N-CH 30V 750MA DFN
DMN3730UFB4-7 MOSFET N-CH 30V 750MA DFN
DMN4027SSD-13 MOSFET 2N-CH 40V 5.4A SO8
DMN4027SSS-13 MOSFET N-CH 40V 6A SO8
DMN4030LK3-13 MOSFET N-CH 40V 9.4A DPAK
相关代理商/技术参数
DMN3300U 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N CH W DIODE 30V 2A SOT23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N CH, W DIODE, 30V, 2A, SOT23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N CH, W DIODE, 30V, 2A, SOT23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Power Dissipation Pd:600mW ;RoHS Compliant: Yes
DMN3300U-7 功能描述:MOSFET 600mW 30Vdss RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN3300U-7-F 制造商:TYSEMI 制造商全称:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:Product specification
DMN3404L 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:
DMN3404L-7 功能描述:MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN3404LQ-7 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 3K - Tape and Reel
DMN36.1A 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | CHIP
DMN3730U 制造商:TYSEMI 制造商全称:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET IN SOT23